256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM)

logically organized as 32 K × 8

High-endurance 100 trillion (1014) read/writes

151-year data retention (see the Data Retention and

Endurance table)

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

SRAM and EEPROM compatible

Industry-standard 32 K × 8 SRAM and EEPROM pinout

70-ns access time, 130-ns cycle time

FM24V01A 是一个采用高级铁电工艺的 128 Kbit 非易失性存储器。F-RAM 是非易失性的；与 RAM 相同，它能够执行读和写操作。它提供 151年的可靠数据保留时间，同时解决了由 EEPROM 和其他非易失性存储器所造成的复杂性、开销和系统级可靠性等问题。与 EEPROM 不同，FM24V01A 以总线速度执行写操作。并不会产生写延迟。在每个字节成功传输到设备后，数据立即被写入到存储器阵列。这时，可以开始执行下一个总线周期而不需要数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。在写操作期间，F-RAM的功耗也远远低于EEPROM，因为写电路不需要高电源电压。

Superior to battery-backed SRAM modules

No battery concerns

Monolithic reliability

True surface mount solution, no rework steps

Superior for moisture, shock, and vibration

Resistant to negative voltage undershoots

Low power consumption

Active current 15 mA (max)

Standby current 25 A (typ)

Voltage operation: VDD = 4.5 V to 5.5 V

FM24V01A 能够支持 1014 读 / 写周期，或支持比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。由于具有这些特性，因此FM24V01A适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用的范围包括从数据采集（其中写周期数量是非常重要的）到满足工业控制 （其中 EEPROM 的较长写时间会使数据丢失）。通过各特性的组合，系统可以更频繁地进行数据写入而只需要较少的开销。 FM24V01A 使用硬件直接替代串行 （I2C） EEPROM 时，可为用户带来极大的方便。该器件包含一个只读的器件 ID，通过该 ID，主机可以确定制造商、产品容量和产品版本。在 –40 °C 到 +85 °C 的工业温度范围内，该器件规范受保证。

 深圳市英尚微电子中国区指定的授权代理

 JSC(EMLSI)、IPSILOG、BOYA、EVERSPIN、

NETSOL、ISOCOME、  PARAGON、SINOCHIP、UNIIC

著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI

  韩国JSC(EMLSI),NETSOL和美国Everspin半导体中国区指定一级代理  

                    主要产品有：

                     1. Low power SRAM (低功耗静态随机存储器)1Mbit~8Mbit.

                     2. SPI SRAM(串行静态随机存储器)64Kbit~512Kbit.

                     3. PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虚拟静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.

                     4. Cellular RAM(伪静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.

                     5.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit~1Gbit

                     6. MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit,64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit

                     7. Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit