LN8362一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片,可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
LN8362内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态,用以提高转换效率。集成使能关断功能,可以同时关断 DRVH、DRVL 的输出。 LN8362 内建死区自适应功能,可以适应更多规格MOSFET,同时简化设计的繁琐。
应用领域
半桥/全桥转换器
同步降压、升降压拓扑
电子烟、无线充 MOSFET 驱动器
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