30V N沟道增强型MOSFET
AP3400BI采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
一般功能
VDS=30V ID=5.8A
RDS（ON）<28mΩ@VGS=10V（类型：26mΩ）
应用
蓄电池保护
负载开关
不间断电源
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 RMB0.22已售出（82510）笔
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 RMB0.13已售出（17700）笔
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 RMB0.16已售出（6900）笔
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 RMB0.09已售出（277703）笔
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 RMB0.11已售出（802693）笔
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 RMB0.33已售出（170719）笔
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 RMB0.26已售出（96080）笔
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