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MEM2301XG 마이크로 리그 P 채널 MOS 튜브 chip-20v-2.8a 저전력 소비 저전압 전력 관리 IC스토어 가기

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P-Channel MOSFET MEM2301XG

MEM2301XG系列P沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术生产，特别用于最小化导通电阻。该器件特别适合低电压应用，并且在非常小的外形表面安装封装中具有低功耗和低功耗。

超低导通电阻的高密度电池设计
电源管理
负载开关
蓄电池保护

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