特征 具有多功能I/O的CMOS 3.0 V内核 具有多路I/O的SPI - SPI时钟极性和相位模式0和3 - DDR选项 -扩展寻址:24或32位地址选项 -串行命令集和尺寸与S25FL-A、S25FL-K和S25FL-P SPI系列兼容 -与S25FL-P SPI系列兼容的多I/O命令集和尺寸 读取命令 -正常、快速、双路、四路、快速DDR、双路DDR、四路DDR -自动引导-通电或复位，并在预先选择的时间自动执行正常或四重读取命令 地址 -用于配置信息的通用闪存接口(CFI)数据 编程(1.5 MBps) - 256或512字节页面编程缓冲选项 -用于慢速时钟系统的四输入页面编程(QPP) -自动ECC-内部硬件纠错码生成，支持单比特纠错 擦除(0.5至0.65 MBps) —混合扇区大小选项—地址空间顶部或底部的32个4kb扇区的物理集合，所有 剩余的64 KB扇区，用于与前代S25FL设备兼容。 -统一扇区选项-始终擦除256 KB数据块，以实现与更高密度和未来的软件兼容性 设备。 骑行耐力 -至少100，000次程序擦除循环 数据保留 -至少20年的数据保留期 安全特性 -1024字节的OTP数组 -块保护 状态寄存器位控制连续扇区范围的编程或擦除保护。 硬件和软件控制选项 -高级扇区保护(ASP) 由启动代码或密码控制的单个扇区保护 采用Eclipse架构的65纳米MIRRORBIT技术 内核电源电压:2.7 V至3.6 V I/O电源电压:1.65 V至3.6 V - SO16和FBGA封装

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