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FDMS3660S 전계 효과 트랜지스터 MOS 비대칭 듀얼 n 채널 전원 통신 노트북 원래 재고

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상세페이지

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描述
这款器件在一个
双PQFN套餐。交换机节点已在内部连接到
支持同步降压转换器的轻松布局和布线。
控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)具有
旨在提供最佳能效。
特征
Q1: N通道
最大rDS(on) = 8 m,VGS = 10 V,ID = 13 A
最大rDS(on) = 11 m,VGS = 4.5 V,ID = 11 A
Q2: N通道
VGS = 10 V、ID = 30 A时,最大rDS(on) = 1.8 m
最大rDS(on) = 2.2 m,VGS = 4.5 V,ID = 27 A
低电感封装缩短了上升/下降时间,从而
更低的开关损耗
MOSFET集成支持下层电路的优化布局
电感和减少的开关节点振铃
这些器件无铅,符合RoHS标准
应用程序
计算
通信
通用载荷点
笔记本电脑VCORE

 

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