M24C04-WMN6TP 전기적으로 지울 수 있는 프로그래밍 가능한 읽기 전용 메모리 4-Kbit 직렬 IC 버스 EEPROM스토어 가기

M24C04-WMN6TP 전기적으로 지울 수 있는 프로그래밍 가능한 읽기 전용 메모리 4-Kbit 직렬 IC 버스 EEPROM

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  • M24C04-WMN6TP

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상세페이지

01

02

03

与I2C公交模式兼容:
–400千赫
–100千赫
内存阵列:
–4千位(512字节)EEPROM
–页面大小:16字节
单电源电压:
–m24c 04-W:2.5V至5.5 V
–m24c 04-R:1.8V至5.5 V
–m24c 04-F:1.7V至5.5 V(全温度
范围)和1.6 V至1.7 V(有限
温度范围)
写:
–5 ms内写入字节
–5毫秒内完成页面写入
工作温度范围:
–从-40摄氏度到+85摄氏度
随机和顺序读取模式
整个存储器阵列的写保护
增强的ESD/闩锁保护
超过400万个写入周期
超过200年的数据保留
包装
符合RoHS标准且无卤素
(生态包2)

 

M24C04-WMN6P M24C04-FDW5TP M24C04-RMC6TG M24C04-RDW6TP M24C04-RMN6P M24C04-RMN6TP M24C04-WDW6TP M24C04-WMN6TP M24C04-FMC6TG M24C04-FMN6TP M24C04-FDW6TP M24C04-FMH6TG

 

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