NTJD1155L在单个芯片中集成了P沟道和N沟道MOSFET 包裹。这种装置特别适用于便携式电子设备 低控制信号、低电池电压和高 需要负载电流。P沟道器件特指 设计为负载开关，采用先进的半导体技术 战壕技术。带外部电阻(R1)的N沟道， 用作驱动P通道的电平转换。N沟道 MOSFET具有内部ESD保护，可以由逻辑驱动 信号低至1.5 V，NTJD1155L采用以下电源供电 1.8至8.0 V，可驱动最高1.3 A的负载，两者均施加8.0 V电压 VIN和VON/OFF。 特征 极低RDS(on) P沟道负载开关MOSFET 电平转换MOSFET受ESD保护 薄型、小尺寸封装 VIN范围为1.8至8.0 V 开/关范围1.5至8.0 V 这些器件无铅，符合RoHS标准
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