UCC27517DBVR 게이트 게이트 드라이버 로우 사이드 IGBT MOSFET 싱크 전류 4A 풀 전류 4A 오리지널스토어 가기

UCC27517DBVR 게이트 게이트 드라이버 로우 사이드 IGBT MOSFET 싱크 전류 4A 풀 전류 4A 오리지널

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상세페이지

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低成本栅极驱动器器件,提供出色的开关模式电源
NPN和PNP分立解决方案的替代产品DC-DC转换器
4 A峰值源和4 A峰值吸收对称数字电源配套栅极驱动器器件
驱动控制器
快速传播延迟(典型值13 ns)太阳能、电机控制、UPS
快速上升和下降时间(典型值为9 ns和7 ns)适合新兴宽带隙电源的栅极驱动器
4.5至18V单电源范围器件(如GaN)
VDD欠压闭锁期间输出保持低电平(确保
上电和电源3时的无毛刺操作描述
向下)UCC27516和UCC27517单通道、高速、低端栅极驱动器器件可以有效地TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值驱动MOSFET和IGBT功率开关。使用
(独立于电源电压)设计本质上最大限度地减少了击穿
高噪声电流的迟滞逻辑阈值,UCC27516和UCC27517可以产生和
抗扰度将高峰值电流脉冲吸收到容性负载中
双通道提供轨到轨驱动能力和极小输入设计(可选择反相(IN–
引脚)或同相传播延迟,典型值为13 ns。(输入+引脚)驱动器
配置)UCC27516和UCC27517提供4a源,
–未使用的输入引脚可用于使能或4a吸电流(对称驱动)峰值驱动电流
VDD = 12 V时禁用功能
当输入引脚为浮动器件信息(1)时,输出保持低电平
输入引脚绝对最大电压电平,而非零件号封装体尺寸(NOM)
受限于VDD引脚偏置电源电压UCC27516 SON (6) 3.00 mm × 3.00 mm
工作温度范围为–40°C至140°C
5引脚DBV (SOT-23)和6引脚DRS(3mm×
(1)对于所有可用的封装,请参见数据手册末尾的3mm WSON(带裸露散热垫)的可订购附录。
包装选项

 

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