特征 N & P沟道MOSFETs采用以下材料生产 Q1 0.7安，20伏。 Ros(开)= 300 mQ @ Vas = 4.5 V ON Semiconductor的高级PowerTrench工艺经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，同时保持出色的开关性能~ RosoN = 400平方米@ Vas = 2.5伏 Q2 -0.6安，-20伏。 Ros(开)= 420 m2 @ Vas = -4.5 V Ros(开)= 630 m2 @ Vas = -2.5 V 这些器件设计用于在非常小的尺寸内提供出色的功耗，适合更大更贵的TSSOP-8和SSOP-6封装不切实际的应用。 低栅极电荷 用于极低Ros(ON)的高性能沟槽技术 应用程序 DC/DC转换器 SC70-6封装:占地面积小(比SSOT-6小51%)；薄型(1毫米厚)RoHS 负荷开关 液晶显示器逆变器 符合AEC Q101标准
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