1功能 1符合汽车应用要求 3 V至5.5 V的宽VCC范围 最大输出额定值为40 V 12路功率DMOS晶体管输出 VCC = 5 V时的50mA连续电流 热关断保护 多级增强级联 所有寄存器通过单输入清零 低功耗 开关时间慢(tr和tf )，这很有帮助 显著降低电磁干扰 20引脚TSSOP-PW封装 20引脚DW封装 2项应用 仪器仪表组 指示灯 LED照明和控制 3描述 TLC6C5912-Q1是一款单芯片、中压、 低电流功率12位移位寄存器，设计用于 用于需要相对中等负载的系统 电源，如led。 该器件包含一个12位串行输入、并行输出 向12位D型存储器提供数据的移位寄存器 注册。数据通过移位和 存储寄存器在移位寄存器时钟(SRCK)和寄存器时钟(RCK)的上升沿， 分别是。存储寄存器将数据传输到 移位寄存器清零(CLR)时的输出缓冲器为 高。CLR为低电平时，器件中的所有寄存器清零。 保持输出使能(G)为高电平可保持所有数据 输出缓冲为低电平，所有漏极输出关闭。 保持G低电平会使数据从存储寄存器中 对输出缓冲器透明。 当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS 晶体管输出关闭。当数据为高电平时 DMOS晶体管输出具有吸电流能力。 器件的串行输出(SER OUT)时钟输出 在SRCK的下降沿提供额外的保持 级联应用的时间。这提供了 提高时钟应用的性能 信号可能失真，设备不在附近 或者这个系统必须容忍 电磁干扰。该设备包含一个 内置热关断保护。 输出为低端开漏DMOS晶体管 输出额定值为40 V和50mA连续电流 VCC = 5 V电流时的吸电流能力 极限随着结温的升高而降低 用于额外的设备保护。该设备还 测试时提供高达2000 V的ESD保护 测试时使用人体模型和200 V电压 使用机器模型。 TLC6C5912-Q1特性用于操作 在工作环境温度范围内 40至125℃

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