FM25L04B是一款4-Kbit非易失性存储器，采用
先进的铁电工艺。铁电随机存取
内存或F-RAM是非易失性的，执行读写操作
类似于公羊。它提供151年的可靠数据保留
同时消除复杂性、开销和系统级
由串行闪存、EEPROM和其他设备引起的可靠性问题
非易失性存储器。
与串行闪存和EEPROM不同，FM25L04B执行写操作
以总线速度运行。不会发生写入延迟。数据是
在每个字节被
已成功传输至设备。下一个总线周期可以
无需数据轮询即可开始。此外，该
与其他产品相比，该产品具有强大的耐写性
非易失性存储器。FM25L04B能够支持
1014个读/写周期，或多1亿倍的写周期
比EEPROM。
这些功能使FM25L04B成为非易失性的理想选择
需要频繁或快速写入的内存应用。
示例包括数据收集，其中写入的数量
对于要求苛刻的工业控制，周期可能是至关重要的
串行闪存或EEPROM的长写入时间会导致数据丢失。
FM25L04B为串行用户提供了大量好处
EEPROM或闪存作为硬件替代产品。这
FM25L04B使用高速SPI总线，增强了
F-RAM技术的高速写入能力。该设备
在工业温度范围内保证规格
范围为–40摄氏度至+85摄氏度
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■ 4-Kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)逻辑上
组织为512 × 8
❐高耐久性100万亿(1014)次读/写
❐ 151年的数据保留(参见数据保留和耐久性
第12页)
❐·诺德雷写道
❐先进的高可靠性铁电工艺
■非常快速的串行外设接口(SPI)
高达20 MHz频率的❐
串行闪存和EEPROM的❐直接硬件替换
❐支持SPI模式0 (0，0)和模式3 (1，1)
■复杂的写保护方案
使用写保护(WP)引脚的❐硬件保护
使用写禁止指令的❐软件保护
针对1/4、1/2或整个阵列的❐软件块保护
■低功耗
1 MHz时的❐ 200 A有效电流
❐ 3 A(典型)待机电流
■低电压操作:VDD = 2.7 V至3.6 V
■工业温度:–40摄氏度至+85摄氏度
■包装
❐ 8引脚小型集成电路(SOIC)封装
❐ 8引脚薄型双扁平无引脚(DFN)封装
■符合有害物质限制(RoHS)

FM25L04B-G FM25L04B-GTR FM25L04B-DG FM25L04B-DGTR

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