非常低的导通电阻
极低的栅极电荷
高雪崩强度
低栅极驱动功耗
应用程序
开关应用
描述
该器件是一个N沟道功率MOSFET
使用strip fet F6技术开发
具有新的沟槽栅极结构。产生的
功率MOSFET总体表现出非常低的RDS(on)
包裹。
详细规格书请联系“客服”
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