市场上最低的RDS(on)之一
出色的FoM(品质因数)
低Crss/Ciss比，抗电磁干扰能力强
高雪崩强度
逻辑电平VGS(th)
应用程序
开关应用
描述
这款N沟道功率MOSFET采用了带增强型
沟槽栅极结构导致非常低的导通电阻，同时还降低了
内部电容和栅极电荷可实现更快、更高效的开关
详细规格书请联系“客服”
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