属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V,3.6A | |
功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 |
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阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@50uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 237pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 45pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
수입신고 1USD |
구매/결제대행 1CNY |
TT송금 1CNY |
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6.81 CNY | 203.62 KRW | 0.149 USD |