| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,5A | |
| 功率(Pd) | 350mW |
|
| 属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.275nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 236pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
| 수입신고 1USD |
구매/결제대행 1CNY |
TT송금 1CNY |
|---|---|---|
| 6.81 CNY | 203.62 KRW | 0.149 USD |
