도면 당 비표준 알루미나/지르코니아/알루미늄 질화물/실리콘 질화물/실리콘 카바이드 질화 붕소 세라믹스토어 가기

도면 당 비표준 알루미나/지르코니아/알루미늄 질화물/실리콘 질화물/실리콘 카바이드 질화 붕소 세라믹

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상세페이지

我公司依托863重大专项先进工艺出产的氧化铝片式陶瓷主要为氧化铝陶瓷基片(板),该产品具有高密度、高导热、高绝缘、低介电损耗、反射率高、热稳定性好、尺寸精度高、光洁度和平整度好等优良特性,广泛应用于厚膜混合集成电路、LED照明、IGBT功率模块、DBC覆板、热敏打印机、臭氧发生器、半导体致冷器、晶体振荡器、高压电阻、汽车及电动工具等电力电子和光电通讯领域,也可作为机械制造、半导体零部件及电子元器件等行业的垫片、密封片、散热片、支撑板、承烧板使用。

 

氮化铝陶瓷具有优良的导热性(为氧化铝陶瓷的7-10倍),较低的介电常数和介质损耗,的绝缘性能,优良的力学性能,,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,作为新一代的陶瓷材料,越来越受到人们的关注和重视。我司生产的氮化铝陶瓷,品质国内同类产品,具有先进水平,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。  

AlN陶瓷基片主要性能指标

性能内容

性能指标

热导率(W/m·k)

≥200

体积电阻率(Ω·cm)

>1013

介电常数[1MHz,25℃]

9

介电损耗[1MHz,25℃]

3.8х10-4

抗电强度(KV/mm)

17

体积密度(g/cm3)

≥3.30

表面粗糙度Ra(μm) 

0.3~0.5

热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) 

4.6

抗弯强度(MPa) 

320~330

弹性模量(GPa) 

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翘曲度(~/25(长度)) 

0.03~0.05

熔点

2500

外观/颜色

灰白色

注:1.表面光洁度经抛光处理后,Ra≤0.1μm

2.产品各向尺寸精度通过激光划线,±0.05mm

3.特殊规格产品可按客户要求生产,任意厚度。

目前,我公司出产的氧化铝陶瓷基片(板)有模具冲压片和激光切割片两种,可提供长宽范围不等、厚度0.25~4mm不等的各种规格基片(板),产品的性能和精度完全可以满足客户要求。

陶瓷散热片详细参数:

1、材质:97%氧化铝(AL 2O3)白色

2、导热率:29.3w/m.k

3、绝缘22.5KV以下,耐温高达1600

4、密度:3.6G/CM3

5、热膨胀系数:0.000003

6、陶瓷本身不蓄热,直接散热,速度快

7、陶瓷本是多晶结构,加强散热速度。同比条件,市面上大多数导热绝缘材料

8、陶瓷具有多向散热性,进一步加快散热速度

9、陶瓷绝缘、耐高温、、耐酸碱、使用寿命长

10、抗(EMI)、抗静电

11、无机材料,符合要求

12、体积小、重量轻、强度高、节省空间。

13、氧化铝陶瓷片适用于ICMOS、三极管、肖特基、IGBT等等需要散热的面热源!

14、特别适用与大功率的设备,设计空间讲究轻、薄、短、小的特别适用

 

三、氧化铝陶瓷片性能:

1、热辐射效果

通过了解陶瓷材料本身不积蓄热量、导热率高的特性,经过不断的测试研究后,开发出了陶瓷散热片,在和以往绝缘片对比中,减少了绝缘层对于热效的影响,加上材料本身导热率非常高,产品在相同地方导热绝缘远远优于其他导热材料。

2、直接导热效果

传统的导热绝缘片分布为:发热体导热层绝缘层导热层铝制散热器 当热量由 发热体传导到导热层时 (热效有一定的衰减) 再传到绝缘层(诸如聚酯稀、Kapton 其导热非常低 进一步说衰减) 再传到导热层。

而陶瓷散热片是直接由陶瓷片一体传导,不会有绝缘层而衰减热消,能够在同一单位时间内带走的热量。

3、使用陶瓷散热片绝缘并降低〖EMI〗(电磁)

陶瓷散热片在相同单位的体积下是优于和铝的散热特性,并可降低EMI所产生的问题,能够防静电,从而使得设备运行更稳定,使用寿命更!

氮化铝陶瓷基片导热性能非常良好,是目前导热领域导热性能表现非常的材料,应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM、光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、叉指电容和螺旋电感等。可根据客户图纸任意规格形状,可切割、打孔、划线,激光。

1.表面光洁度经抛光处理后,Ra0.1μm

2.产品各向尺寸精度通过激光划线,±0.05mm

3.特殊规格产品可按客户要求生产,任意厚度。

 

氮化铝陶瓷具有优良的导热性(为氧化铝陶瓷的7-10倍),较低的介电常数和介质损耗,的绝缘性能,优良的力学性能,,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,作为新一代的陶瓷材料,越来越受到人们的关注和重视。我司生产的氮化铝陶瓷,品质国内同类产品,具有先进水平,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。

AlN陶瓷基片主要性能指标

性能内容

性能指标

热导率(W/m·k)

≥200

体积电阻率(Ω·cm)

>1013

介电常数[1MHz,25℃]

9

介电损耗[1MHz,25℃]

3.8х10-4

抗电强度(KV/mm)

17

体积密度(g/cm3

≥3.30

表面粗糙度Ra(μm) 

0.3~0.5

热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) 

4.6

抗弯强度(MPa) 

320~330

弹性模量(GPa) 

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翘曲度(~/25(长度)) 

0.03~0.05

熔点

2500

外观/颜色

灰白色

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