| 产品属性 | 属性值 | |
|---|---|---|
| 制造商: | 英飞凌 | |
| 产品类别: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装样式: | 通孔 | |
| 包装/外壳: | 至-220-3 | |
| 晶体管极性: | N通道 | |
| 频道数量: | 1通道 | |
| Vds-漏极-源极击穿电压: | 200 V | |
| ID-连续漏极电流: | 76 A | |
| RDS漏源极导通电阻: | 20个mOhms | |
| Vgs-栅极-源极电压: | -20 V, 20 V | |
| Vgs门阈值电压: | 1.8 V | |
| Qg-门电荷: | 100数控 | |
| 工作温度: | -55摄氏度 | |
| 工作温度: | 175摄氏度 | |
| PD-功耗: | 375 W | |
| 通道模式: | 增强 | |
| 封装: | 管 | |
| 商标: | 英飞凌技术 | |
| 处置: | 单身 | |
| 下降时间: | 22 ns | |
| 正向跨导-: | 79秒 | |
| 高度: | 15.65毫米 | |
| 长度: | 10毫米 | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 18纳秒 | |
| 1000 | ||
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1个N通道 | |
| 典型关机延迟时间: | 56 ns | |
| 典型开启延迟时间: | 17 ns | |
| 宽度: | 4.4毫米 | |
| 单位重量: | 2g |
| 수입신고 1USD |
구매/결제대행 1CNY |
TT송금 1CNY |
|---|---|---|
| 6.74 CNY | 205.67 KRW | 0.149 USD |
